8月23日，國產存儲芯片廠商普冉半導體(上海)股份有限公司(簡稱“普冉股份”，股票代碼：688766)成功于科創板上市，發行905.718萬股，發行價148.9元/股。至收盤時，普冉股份較發行價漲225.79%，換手率75.29%，成交額26.88億元。

　　普冉股份2016年成立，承接了無錫普雅的的全部資產、業務、人員、技術。

　　普冉股份主營業務為非易失性存儲器芯片，主要產品為NOR Flash和EEPROM兩類芯片，可用于低功耗藍牙模塊、TWS耳機、手機觸控、AMOLED和手機攝像頭模組等方面。目前，普冉股份產品已進入小米、OPPO、vivo、華為、美的等廠商的終端產品。

　　報告期內，普冉股份營收增速較快，2018年-2020年各期營收分別為1.78億元、3.63億元和7.17億元。

　　本次IPO，普冉股份計劃募資3.45億元，主要用于閃存芯片升級研發及產業化、EEPROM芯片升級研發及產業化和總部基地及前沿技術研發3個項目。

　　行業市場競爭格局與發展趨勢分析

　　全球存儲芯片行業集中度高，國內市場處于成長階段

　　根據前瞻產業研究院分析，存儲芯片，又稱半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數據的記憶設備，是現代數字系統的重要組成部分。存儲芯片具有體積小、存儲速度快等特點，廣泛應用于內存、U盤、消費電子、智能終端、固態存儲硬盤等領域。

　　目前全球儲存芯片市場被海外企業壟斷。DRAM領域，三星、美光、SK海力士占據95%的市場份額;NAND Flash領域被三星、美光、SK海力士、英特爾壟斷;NOR Flash領域海外壟斷程度最低，旺宏、華邦、兆易創新市占率前三，合計占據70%份額。

　　我國具有設計存儲芯片的頭部企業主要包括長江存儲、長鑫存儲、兆易創新、紫光國芯、中芯國際以及華虹半導體等，主要存儲芯片業務布局為NOR Flash及閃存芯片設計。

　　存儲芯片有多種細分市場，以NAND Flash和DRAM存儲芯片為主。長江存儲作為我國NAND Flash龍頭企業，完成128層NAND Flash存儲芯片技術突破。Trendforce數據顯示，三星、海力士、美光都計劃在2020年推出128層的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC將逐步發展并成為主流。

　　在2018年后，中國的長江儲存技術出現在世界視野中，中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目標第三季進入投片、年底前量產，擬用于UFS、SSD等各類終端產品，并同時出貨給模組廠。

　　中國存儲芯片：后來居上，前途廣闊

　　中國存儲芯片廠商發展力強，成長空間較大。從中國存儲芯片行業競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領導，細分領域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國內廠商奮力追趕，已在部分領域實現突破，逐步縮小與國外原廠的差距，其中，兆易創新位列NOR Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM芯片領域市占率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲芯片，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進技術。值得注意的是，兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發能力，扮演中國半導體發展的重要角色。

　　總而言之，中國存儲芯片行業發展形勢較為樂觀，但還有一段漫長的路要走。